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一种带温度调制的三桥臂催化式微气体传感器制造方法
- 专利权人:
- 中国电子科技集团公司第四十九研究所
- 发明人:
- 张洪泉,姜国光,任宪伍,齐红,齐欣,王震,金建东,周明军,秦雪,秦永和
- 申请号：
- CN200910073456.X
- 公开号：
- CN102103106A
- 申请日:
- 2009.12.18
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供的是一种带温度调制的气体传感器微加工制造方法。采用IC工艺对单晶硅片进行干法氧化后，沉积氮化硅介质隔离层和三氧化二铝介质过渡层，利用溅射工艺沉积铂膜；在单晶硅片另一侧复制图形，微加工硅杯；掩膜光刻并利用离子束刻蚀铂膜，形成气体敏感单元、气体补偿单元和温度敏感单元电阻；掩膜光刻，逐层湿法腐蚀三氧化二铝层、氮化硅层、氧化硅层和单晶硅，形成多个三桥臂的芯片单元；焊接内引线；涂敷并烧结三氧化二铝催化载体浆料；涂敷并高温热处理催化剂和去敏剂，形成气体敏感芯片。本发明解决了催化式气体传感器因手工操作而存在的问题，实现了传感器多敏感单元的集成问题，提高了传感器的一致性、可靠性和检测精度，降低了功耗。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
