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一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备
- 专利权人:
- 济南大学
- 发明人:
- 李慧芝,李志英,朱学英
- 申请号：
- CN201510854447.X
- 公开号：
- CN105588866B
- 申请日:
- 2015.11.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，首先将玻碳电极用硅烷偶联剂和纳米铂修饰；然后，在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸‑1，4‑丁二醇酯：15~25%，丙烯酰胺：2~8%，衣康酸：4~10%，乙腈：58~71%，偶氮二异庚睛：1.0~2.0%，双香豆素：1.0~3.0%，搅拌溶解，通氮气除氧15 min，氮气氛围，55~65℃搅拌反应，即得双香豆素分子印迹聚合物；再将聚合物涂到修饰电极上，去除模板分子，制得双香豆素分子印迹电化学传感器，该传感器对双香豆素具有较高的识别性能，制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用，本发明制备的分子印迹传感器对双香豆素的响应大大提高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
