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一种山奈酚分子印迹膜电化学传感器的制备方法
- 专利权人:
- 广西科技大学
- 发明人:
- 李利军,崔福海
- 申请号：
- CN201410761732.2
- 公开号：
- CN104458857A
- 申请日:
- 2014.12.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 牟彩萍
- 摘要：
- 本发明公开了一种山奈酚分子印迹膜电化学传感器的制备方法，玻碳电极依次用0.3、0.05μmAl2O3悬浊液在鹿皮上打磨抛光后，用水清洗干净后，将电极依次置于1:1硝酸、无水乙醇和二次水中，超声清洗5min，最后用二次水冲洗干净待用；将玻碳电极为工作电极、铂片电极为对电极、饱和甘汞电极为参比电极的三电极体系放入配置好的Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液当中，该溶液当中含有山奈酚、邻苯二胺，浓度分别为0.2mmol/l与4mmol/l，pH值控制在6.0左右，在0～0.8V 电位区间内，循环伏安扫描20圈，扫描速率为50mV/s，然后将电极放置于氢氧化钠溶液中30分钟，以除去印迹聚合物中的模板分子-山奈酚，即得到山奈酚分子印迹电极。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
