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一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法
- 专利权人:
- 济南大学
- 发明人:
- 李慧芝,许崇娟,张为民
- 申请号：
- CN201510853016.1
- 公开号：
- CN105353007A
- 申请日:
- 2015.11.30
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征是：首先将玻碳电极用硅烷偶联剂和纳米金修饰。在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸乙二醇酯：12~22%，甲基丙烯酸甲酯：2.5~10%，N,N-二甲基甲酰胺：63~83%，偶氮二异丁酸二甲酯：1.0~2.0%，香豆素：1.0~4.0%，搅拌溶解，通氮气除氧10min，氮气氛围，75~80℃搅拌反应10~12h，用乙醇与盐酸混合溶液除去模板分子，干燥，即得香豆素分子印迹聚合物。再将聚合物涂到修饰电极上，制得香豆素分子印迹电化学传感器，该传感器与电化学工作站连接构成能够专一模板分子识别传感器。本发明制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
