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一种印痕显现和提取用半导体量子点荧光试剂的制备方法
- 专利权人:
- 内蒙古大学
- 发明人:
- 张军,高峰,韩家兴,李群,李倩,孙秀峰,郑金成,李昕,包丽茹
- 申请号：
- CN201010247431.X
- 公开号：
- CN101906302B
- 申请日:
- 2010.08.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2014
- 代理人:
- 摘要：
- 本专利公开了一种刑事侦查领域印痕显现和提取用的新型、表面具有正电特性的液体型半导体量子点荧光试剂，该试剂通过水合联氨对传统表面由巯基乙酸修饰的Ⅱ-Ⅵ族半导体CdTe量子点进行表面改性，制备出了表面具有正电特性的液体型半导体CdTe/NH3+量子点荧光试剂。这种荧光试剂克服了传统碱性条件下巯基乙酸修饰的半导体CdTe/COO-量子点荧光试剂由于表面荷电性与印痕残留物荷电性相同而导致的相互排斥、亲合力不强这一关键技术问题，使其在刑事科学领域更具应用优势。本专利所得的液体型半导体量子点荧光试剂荧光强度高、制备过程简单、与新鲜或陈旧性印痕的粘附性好，适用于刑事侦查中大多数非渗透客体上印痕的显现和提取。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
