Variable resistance materials with superior data retention characteristics

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专利权人:

오보닉스, 아이엔씨.

发明人:

쉘 칼,크주바티 월로디미르

申请号：

KR20100100006

公开号：

KR101730561(B1)

申请日:

2010.10.13

申请国别(地区):

韩国

年份:

2017

代理人:

摘要：

고온에서 우수한 데이터 보유 특성을 보이는 가변 저항 메모리 조성물 및 장치가 제공된다. 상기 조성물은 가변 저항 성분 및 비활성 성분을 포함하는 복합 물질이다. 상기 가변 저항 성분은 상변화 물질을 포함할 수 있고 상기 비활성 성분은 유전 물질을 포함할 수 있다. 상기 상변화 물질은 Ge, Sb 및 Te을 포함할 수 있으며, 여기서 Sb의 원자 농도는 3% 내지 16%이며 및/또는 Sb/Ge 비는 0.07 내지 0.68이며 및/또는 Ge/Te 비는 0.6 내지 1.1이며 및/또는 유전 성분의 농도(구성 원소들의 원자 농도의 합으로 표시됨)는 5% 내지 50%이다. 상기 조성물은 고온에서 높은 10년 데이터 보유 온도(10-year data retention temperature) 및 긴 데이터 보유 시간(data retention time)을 나타낸다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/