Prepare the ePTFE material (42) in the chamber suitable for plasma treatment, addition continuous low energy plasma discharge (50) in a sample, the method of modifying the ePTFE surface by plasma immersion ion implantation, the negative wide short forming a high-energy ion flux from the plasma discharge by applying a (52) high voltage pulse, on the surface of the ePTFE material, by forming free radicals without changing the physical structure and molecular and / or below the surface I include to generate ions that defines a qualified ePTFE surface, a step. Even when the step of applying a high voltage pulse to the carburizing or etching the surface of ePTFE, the step of applying high voltage pulses to modify the surface of the ePTFE without destroying the fibril structure and nodules. Modified surface can have a depth of about 500nm to about 30nm. Ions are administered to a sample ePTFE at a dose or concentration of up to about 10 16 ions / cm 2 of about 10 13 ions / cm 2.プラズマ浸漬イオン注入によりePTFE表面を修飾する方法は、プラズマ処理に適したチャンバ(42)内にePTFE材料を準備し、試料に連続低エネルギー・プラズマ放電(50)を加え、短時間幅の負の高電圧パルス(52)を印加してプラズマ放電からの高エネルギー・イオン束を形成し、ePTFE材料の表面上に、表面の下の分子及び/又は物理構造を変えることなくフリーラジカルを形成して修飾ePTFE表面を画定するイオンを生成する、ステップを含む。高電圧パルスを印加するステップがePTFEの表面をエッチング又は浸炭化するときでも、高電圧パルスを印加するステップは結節及び小繊維構造を破壊することなくePTFEの表面を修飾する。修飾された表面は約30nmから約500nmまでの深さを有することができる。イオンは約1013イオン/cm2から約1016イオン/cm2までの濃度又はドーズ量でePTFE試料に投与される。
