OBSHCHESTVO S OGRANICHENNOJ OTVETSTVENNOSTJU "NOVOSIBIRSKIE NANOTEKHNOLOGII" (OOO "NNT")
发明人:
PRINTS ALEKSANDR VIKTOROVICH,Принц Александр Викторович
申请号：
RU2012151905/28
公开号：
RU0002522800C1
申请日:
2012.12.04
申请国别(地区):
RU
年份:
2014
代理人:
摘要：
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: in a method of manufacturing a nanotube array for cell transfection a multi-layered film structure with mechanically strained layers is made on a crystal substrate. A contour of a film structure area released from the crystal substrate is formed with respect to a separately taken tube. A released area of the film structure is formed as one containing a portion, intended for the tube formation, and a portion, intended for formation of the curved film element, providing positioning of the tube relative to the crystal substrate. After that, the first of the said portion is released with its transformation into the tube due to mechanical strains, and the second portion, curving due to mechanical strains. The tube positioning relative to the crystal substrate is achieved in the following way: after release of the second portion, curving due to mechanical strains, from connection to the substrate, the Archimedes force is applied in addition to the action of mechanical strains, creating torque forces, trying to curve the film element.EFFECT: required tube positioning relative to the crystal substrate.16 cl, 5 dwg, 11 exИзобретение относится к медицине, биохимии, цитологии, нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне для введения сред. В способе изготовления массива нанотрубок для трансфекции клеток на кристалле-подложке изготавливают многослойную пленочную структуру с механически напряженными слоями. В отношении отдельно взятой трубки формируют контур освобождаемой области пленочной структуры от кристалла-подложки. Освобождаемую область пленочной структуры формируют содержащей участок, предназначенный для формирования трубки, и участок, предназначенный для формирования изогнутого пленочного элемента, обеспечивающего позиционирование трубки относительно кристалла-подложки. Затем последовательно освобождают первый из указанных участков, трансформируя его за счет механических напряжений в трубку, и вт
