加Y提高Mg-Zn-Zr镁合金电磁屏蔽性能的方法
- 专利权人:
- 重庆大学
- 发明人:
- 陈先华,潘复生,刘娟
- 申请号：
- CN201310164376.1
- 公开号：
- CN103233153B
- 申请日:
- 2013.05.07
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 张先芸
- 摘要：
- 本发明公开了一种加Y提高Mg-Zn-Zr镁合金电磁屏蔽性能的方法，通过在Mg-Zn-Zr合金中加入稀土元素Y来实现，具体方法包括熔炼制锭-均匀化-热挤压等。由于Y的加入，合金中的相组成随着Zn/Y的变化而变化。经均匀化、挤压后的合金在测试频率30MHz-1.5GHz范围内的电磁屏蔽效能SE最大值为100dB。与不含稀土元素Y的合金相比，电磁屏蔽效能提高了20dB以上，显著的改善了Mg-Zn-Zr镁合金的电磁屏蔽性能，拓宽了Mg-Zn-Zr合金在工业、电子电气、航天军工等领域的应用范围。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
