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含Cu的高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金的制备方法
- 专利权人:
- 重庆大学
- 发明人:
- 陈先华,潘复生,刘莉滋
- 申请号：
- CN201410095293.6
- 公开号：
- CN103849800B
- 申请日:
- 2014.03.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 穆祥维
- 摘要：
- 本发明公开了一种含Cu的高导电高电磁屏蔽性能变形镁合金，其成分按重量百分比为：Zn：4.90~5.20wt.%；Zr：0.50~0.80wt.%；Cu：0.37~2.32wt.%，其余为Mg和不可避免的杂质。制备方法包括熔炼铸锭-均匀化-热挤压等。由于该合金中含有Cu，与Mg、Zn结合生成MgZnCu三元相，使基体中Zn溶质原子大量减少，基体晶格畸变减小，电子散射得到了抑制。因此，经均匀化、挤压后的合金具有良好的导电性，其电磁屏蔽效能得到显著的提高，与不含Cu的合金相比，电磁屏蔽效能提高了17dB以上。有效的拓宽了高导电高电磁屏蔽性能及轻量化镁合金材料在航天军工、微电子等领域的应用范围。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
