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一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法
- 专利权人:
- 浙江大学
- 发明人:
- 高明霞,朱丹,潘颐,潘洪革,刘永锋,巫红燕
- 申请号：
- CN201110122040.X
- 公开号：
- CN102161594B
- 申请日:
- 2011.05.12
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 王从友
- 摘要：
- 本发明属于陶瓷基复合材料的制备领域，尤其涉及一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料及其制备方法。一种SiC晶须强化的SiC陶瓷基复合材料，复合材料由预制件通过Si或Si合金熔渗反应制备得到，所述的预制件由包括稻壳SiC晶须化产物的原料模压成型制得。该复合材料方法制备工艺简单，熔渗反应温度低，无需外加压力，预制件可制成复杂形状，可用于制备复杂形状的构件。复合材料的主要组成相SiC来源于稻壳，原料丰富、成本低，可显著降低陶瓷基复合材料的制造成本、节省资源和保护环境。所制备的SiC陶瓷基复合材料性能优良，SiC晶须对材料起到增强作用，可用于SiC反应烧结陶瓷材料制品的适用场合，如滑动轴承、耐腐蚀、耐磨损的管道、阀门、风机叶片和军、民用防弹衣等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
