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一种B4C/SiC晶须/SiC复相陶瓷基复合材料及其制备方法
专利权人:
浙江大学
发明人:
高明霞,巫红燕,潘颐,潘洪革,刘永锋,朱丹
申请号:
CN201110106630.3
公开号:
CN102219536A
申请日:
2011.04.27
申请国别(地区):
中国
年份:
2011
代理人:
王从友
摘要:
本发明属于陶瓷基复合材料技术领域,具体的说是一种具有SiC晶须、SiC颗粒和B4C颗粒多种陶瓷相复合的陶瓷基复合材料及其制品的制备方法。一种B4C/SiC晶须/SiC复相陶瓷基复合材料,该复合材料由预制件通过Si或Si合金熔渗反应制备得到,所述的预制件由包括SiC和碳中的至少一种、SiC晶须和B4C粉体的原料模压成型制得。本发明制备得到为具有SiC晶须、SiC颗粒和B4C颗粒多种陶瓷相复合的B4C/SiC晶须/SiC复相陶瓷基复合材料,提高复合材料的综合性能。本发明采用自发熔渗反应法,传承了自发熔渗反应法的各项优点,利用Si或其合金对由B4C和富含SiC晶须的稻壳碳化硅晶须化产物组成的多孔预制件的熔渗和反应烧结,获得致密的复相陶瓷基复合材料及其制品。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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