化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法
- 专利权人:
- JSR株式会社;株式会社东芝
- 发明人:
- 仕田裕贵,松井之辉,重田厚,平沢信一,加藤宽和,木下正子,西冈岳,矢野博之
- 申请号：
- CN200610160614.1
- 公开号：
- CN1974636B
- 申请日:
- 2006.11.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 苗堃`刘继富
- 摘要：
- 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
