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化学机械研磨用浆料组合物、利用它的半导体元件的表面平坦化方法以及浆料组合物的选择比控制方法
- 专利权人:
- 三菱住友硅晶株式会社;学校法人汉阳学院
- 发明人:
- 朴在勤,白云揆,朴珍亨,加藤健夫
- 申请号：
- CN200380107825.3
- 公开号：
- CN1748292A
- 申请日:
- 2003.12.25
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2006
- 代理人:
- 郭煜`段晓玲
- 摘要：
- 一种化学机械研磨用浆料组合物，究明了研磨除去速度对于添加剂浓度和研磨剂大小的依赖关系，公开了可以任意地控制氧化物层对氮化物层的除去速度选择比的浆料组合物的选择比控制方法。本发明的选择比控制方法，是相对于氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物的选择比控制方法，包括：上述浆料组合物含有氧化铯研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，一边变化上述浆料组合物中的上述阴离子添加剂的浓度，一边确认上述氧化物层对于氮化物层的研磨速度的选择比步骤；和以上述确认了的研磨速度的选择比为基准，通过添加上述阴离子添加剂的浓度使得上述浆料组合物具有希望的选择比，来控制上述浆料组合物的选择比步骤。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
