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METHOD FOR PREDICTING AND MODULATING SUSCEPTIBILITY OF CANCER CELL TO PROGRAMMED CELL DEATH
专利权人:
SHIEH; Darbin
发明人:
HUANG, Kuangjing,YANG, Lixing
申请号:
CNCN2017/113796
公开号:
WO2019/104579A1
申请日:
2017.30.11
申请国别(地区):
WO
年份:
2019
代理人:
摘要:
A method for treating cancer includes the steps of: administering to a subject an effective amount of zero valent iron (ZVI) nanoparticles and an effective amount of at least one resistance modulating agent. The shell of each of the ZVI nanoparticles includes gold (Au). The resistance modulating agent includes inducers of programmed cell death, such as erastin, sulfasalazine, sorafenib, buthionine sulfoximine, Ras selective lethal 3 (RSL-3), altretamine, and FIN56. The resistance modulating agent can induce ferroptosis, promote lipid peroxidation, block NADP (H) supply, or suppress metabolism of polyunsaturated fatty acids. Alternatively, the resistance modulating agent can suppress expression of at least one of GSR, AKR1C1, AKR1C3, AKR1B1, AKR1B10 and KYNU genes or promote expression of at least one of ACSL4, ZEB1 and NNMT genes. A method for improving efficacy of a cancer treatment using the ZVI nanoparticles and another method for treating cancer are also provided.Linvention concerne une méthode de traitement du cancer qui comprend les étapes consistant : à administrer au patient une quantité efficace de nanoparticules de fer de valence zéro (ZVI, pour "zero valent iron") et une quantité efficace dau moins un agent de modulation de la résistance. Lenveloppe de chacune des nanoparticules de ZVI comprend de lor (Au). Lagent de modulation de la résistance comprend des inducteurs de la mort cellulaire programmée, tels que lérastine, la sulfasalazine, le sorafénib, la buthionine sulfoximine, la molécule RSL3 3 (pour "Ras selective lethal 3"), laltrétamine et le FIN56. Lagent de modulation de la résistance peut induire la ferroptose, stimuler la peroxydation des lipides, bloquer lapport en NADP (H), ou inhiber le métabolisme des acides gras polyinsaturés. De façon alternative, lagent de modulation de la résistance peut inhiber lexpression dau moins lun des gènes GSR, AKR1C1, AKR1C3, AKR1B1, AKR1B10 et KYNU, ou stimuler lexpression dau moins lun des gènes ACSL4, ZEB1 et
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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