SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE FOR FLEXIBLE DEVICE FLEXIBLE DEVICE SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT THIN FILM ELEMENT THIN FILM TRANSISTOR METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR THIN FILM ELEMENT METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

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专利权人:

다이니폰 인사츠 가부시키가이샤

发明人:

후꾸다 ?지,사까요리 가쯔야,아리하라 게이따,이찌무라 고지,아마가이 게이

申请号：

KR20127008051

公开号：

KR101728573(B1)

申请日:

2010.09.29

申请国别(地区):

韩国

年份:

2017

代理人:

摘要：

본 발명은, 금속층과 폴리이미드층이 적층된 가요성을 갖는 기판 위에 TFT를 제작했을 때에, 금속박 표면의 요철에 의한 TFT의 전기적 성능의 열화를 억제할 수 있어, TFT의 박리나 균열을 억제할 수 있는 플렉시블 디바이스용 기판을 제공하는 것을 제1 목적으로 한다. 본 발명은, 금속박(2)과, 상기 금속박 위에 형성되고 폴리이미드를 포함하는 평탄화층(3)과, 상기 평탄화층(3) 위에 형성되고 무기 화합물을 포함하는 밀착층(4)을 갖는 것을 특징으로 하는 플렉시블 디바이스용 기판을 제공한다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/