强磁场性能得到提高的超导体、其制造方法、以及包含该超导体的MRI仪器

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专利权人:

金溶进

发明人:

金溶进

申请号：

CN200880100945.3

公开号：

CN101765399B

申请日:

2008.07.31

申请国别(地区):

CN

年份:

2013

代理人:

摘要：

本发明示例性地描述了一种超导体，该超导体包含：含有磁性杂质的超导材料以及在所述超导材料中形成的非磁性无序。本发明所述的超导体适用于磁体应用和电力传输。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/