In this plasma treatment system, a temperature detection unit for detecting the temperature of a perfusion layer of a conductive solution is fixed to a treatment unit, and is positioned so as to be immersed in the perfusion layer when a first electrode unit and a second electrode unit are in a state of being immersed in the perfusion layer. In the plasma treatment system, a control unit controls, on the basis of the detection results from the temperature detection unit, the temperature adjustment by a temperature adjustment unit, and the supply amount and the suction amount of the conductive solution, to adjust the temperature of the conductive solution in the perfusion layer such that the temperature of the perfusion layer is within a target temperature range.La présente invention concerne un système de traitement au plasma qui comprend une unité de détection de température destinée à détecter la température dune couche de perfusion dune solution conductrice qui est fixée à une unité de traitement et positionnée afin dêtre immergée dans la couche de perfusion lorsquune première unité délectrode et une seconde unité délectrode sont dans un état dimmersion dans la couche de perfusion. Dans le système de traitement au plasma, une unité de commande commande, en fonction des résultats de détection provenant de lunité de détection de température, le réglage de température à laide dune unité de réglage de température et la quantité dalimentation et la quantité daspiration de la solution conductrice, afin de régler la température de la solution conductrice dans la couche de perfusion, de manière que la température de la couche de perfusion se trouve dans une plage de température cible.プラズマ処置システムでは、導電性溶液の灌流層の温度を検知する温度検知部は、処置部に固定され、第1の電極部と第2の電極部が前記灌流層に浸った状態において、前記灌流層に浸る位置に位置している。前記プラズマ処置システムでは、前記温度検知部での検知結果に基づいて、前記灌流層の前記温度が目標の温度範囲になる状態に、制御部が温度調整ユニットでの温度の調整、及び、前記導電性溶液の供給量及び吸引量を制御し、前記潅流層での前記導電性溶液の温度を調整している。
