還元装置、金属化合物の還元方法、およびマグネシウム金属の製造方法
- 专利权人:
- 株式会社ニコン
- 发明人:
- 水谷 公一,丹羽 達雄,槙 裕司,倉島 高広
- 申请号：
- JP20150191535
- 公开号：
- JP2017066455(A)
- 申请日:
- 2015.09.29
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】加熱還元反応による金属の生産を効率よく行うこと。【解決手段】還元装置は、金属化合物を還元する還元部５５と、金属化合物を還元部５５へ移送する第１移送部５０Ａと、還元部５５から還元後の残留物を移送する第２移送部５０Ｂと、を含む金属化合物の還元装置であって、第２移送部５０Ｂは、還元部５５から残留物を移送する経路において、還元部５５で発生した気体の流れを抑制する抑制部５７（Ｑ）を有する。【選択図】図５
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- 中国工程科技知识中心
