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ケイ素含有三元金属間化合物からハロシランを生成する方法
专利权人:
ダウ コーニング コーポレーションDOW CORNING CORPORATION
发明人:
ディミトリス・カツォリウス,ジョン・ロバーツ
申请号:
JP20170531704
公开号:
JP2018501231(A)
申请日:
2015.11.06
申请国别(地区):
日本
年份:
2018
代理人:
摘要:
ハロシランを含む反応生成物、を調製する方法であって、不飽和ヒドロカルビルハロゲン化物と三元金属間化合物とを300℃〜700℃の温度で接触させて、反応生成物を形成すること、を含む、方法。上記の三元金属間化合物は、銅、ケイ素及び遷移金属を含む。上記の反応生成物におけるハロシランは、式R1mR2nHoSiX(4−m−n−o)>(式中、各R1は、独立して、飽和一価ヒドロカルビル基であり、各R2は、独立して、不飽和一価ヒドロカルビル基であり、各Xは、独立して、ハロゲン原子であり、下付き文字mは、1、2又は3であり、下付き文字nは、0、1又は2であり、下付き文字oは、0、1又は2であり、量(m+n+o)は、1、2又は3である。)を有する。不飽和ヒドロカルビルハロゲン化物における不飽和ヒ
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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