The invention relates to semiconductor colloids that are covalently grafted with an antioxidant, wherein the colloids are semiconductor colloids consisting of at least one element selected from the group comprising C, Si, Ge, Sn, S, Se, Te, B, N, P, As, Al, Sb, Ga, In, Cd, Zn, O, Cu, Cl, Pb, Tl, Bi, Ti, U, Ba, Sr, Li, Nb, La, I, Mo, Mn, Ca, Fe, Ni, Eu, Cr, Br, Ag, Pt, Hg, and assemblies thereof.Colloïdes semi-conducteurs greffés de manière covalente avec un antioxydant, les colloïdes étant des colloïdes semi-conducteurs constitués d'au moins un élément choisi dans le groupe comprenant C, Si, Ge, Sn, S, Se, Te, B, N, P, As, Al, Sb, Ga, In, Cd, Zn, O, Cu, Cl, Pb, Tl, Bi, Ti, U, Ba, Sr, Li, Nb, La, I, Mo, Mn, Ca, Fe, Ni, Eu, Cr, Br, Ag, Pt, Hg, et leurs assemblages.
