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オプトエレクトロニクス半導体材料の光学的特性を検出する方法および該方法を実施する装置
- 专利权人:
- オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ
- 发明人:
- イェンス エベッケ,ジークマー クーグラー,トビアス マイアー,マティアス ペーター
- 申请号：
- JP20160533055
- 公开号：
- JP2017504956(A)
- 申请日:
- 2014.11.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、オプトエレクトロニクス半導体材料（１）の光学的特性を面全体にわたり検出する方法に関する。半導体材料（１）は、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップを製造するために用いられ、バンドギャップを有しており、それによって半導体材料（１）の固有の波長が定められている。この方法は、Ａ）オプトエレクトロニクス半導体材料（１）の主表面（１１）を、半導体材料（１）内で電子と正孔のペアを発生させるために、半導体材料（１）の固有の波長よりも短い励起波長の光（２０）によって、面全体にわたり照射するステップと、Ｂ）電子と正孔のペアの再結合によって、半導体材料（１）の主表面（１１）から放射される、固有の波長の再結合放射（３０）を、面全体にわたり検出するステップとを有している。さらに本発明は
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
