您的位置: 首页 > 农业专利 > 详情页

PLANT SLICE COMPRISING GINSENG TOTAL SECONDARY GLYCOSIDES AND PREPARATION THEREOF
专利权人:
GAO; Shangxian
发明人:
GAO, SHANGXIAN,高尚先
申请号:
CNCN2014/086643
公开号:
WO2015/055068A1
申请日:
2014.09.16
申请国别(地区):
WO
年份:
2015
代理人:
摘要:
A plant slice comprising ginseng total secondary glycosides and preparation thereof. A method for preparing the plant slice comprises the following steps: processing the plant slice through vacuum puffing process, immersing the plant slice in 20-90% acetic acid for 5-60 minutes taking out, drying, placing the slice in a perforated tray having a thickness of 0.2-10 cm, placing the tray in a sealed steaming cabinet, introducing water vapour into the steaming cabinet, maintaining water vapor in a saturation state, heating to 50-110℃ and steaming for 0.5-5 hours introducing circulated water vapour and turning on an air exhaust device at the same time, maintaining for 0.5-5 hours, connecting with a condenser to recycle acetic acid aqueous solution, taking out the plant slice and drying the slice in a hot air drying box for 0.5-5 hours. The plant slice could be made into powder, granule, tablet, capsule, oral liquid, chewable tablet and buccal tablet. The plant slice has the effects of resisting thrombosis, reducing blood fat, blood pressure and blood sugar, enhancing immunity, reducing blood viscosity and relieving tinnitus and vertigo.La présente invention concerne une tranche de plante comprenant des glycosides secondaires totaux de ginseng et sa préparation. Un procédé de préparation de la tranche de plante comprend les étapes suivantes : traitement de la tranche de plante par un processus dexpansion sous vide, immersion de la tranche de plante dans de lacide acétique à 20 à 90 % pendant 5 à 60 minutes retrait, séchage, placement de la tranche dans un plateau perforé ayant une épaisseur de 0,2 à 10 cm, placement du plateau dans une enceinte de vaporisation scellée, introduction de vapeur deau dans lenceinte de vaporisation, maintien de la vapeur deau dans un état de saturation, chauffage à 50 à 110 °C et vaporisation pendant 0,5 à 5 heures introduction de vapeur deau circulante et activation dun dispositif déchappement dair simultanément, maintien pendant 0,5 à 5 he
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

意 见 箱

匿名:登录

个人用户登录

找回密码

第三方账号登录

忘记密码

个人用户注册

必须为有效邮箱
6~16位数字与字母组合
6~16位数字与字母组合
请输入正确的手机号码

信息补充