锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的制备方法
- 专利权人:
- 施毅
- 发明人:
- 叶敏华,施毅,濮林,徐子敬,张荣,郑有炓
- 申请号：
- CN200910024599.1
- 公开号：
- CN101486439B
- 申请日:
- 2009.02.23
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2011
- 代理人:
- 周新亚
- 摘要：
- 本发明的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
