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硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法
- 专利权人:
- 中国科学院合肥物质科学研究院
- 发明人:
- 吴摞,滕大勇,李淑鑫,何微微,叶长辉
- 申请号：
- CN201310155802.5
- 公开号：
- CN103337449A
- 申请日:
- 2013.04.28
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 郑立明`赵镇勇
- 摘要：
- 本发明公开了一种硅纳米线阵列的移植及其简单器件制备的方法，利用清洁硅片上制备的多孔银膜作为催化金属，通过在氢氟酸/双氧水中蚀刻来制备硅纳米线阵列，高温水蒸气下氧化形成硅-氧化硅核壳结构，再放入高温氨水溶液中，通过氧化硅阻挡-银辅助氨水蚀刻，制备出与硅衬脱附的硅纳米线阵列结构。再利用表面涂有粘性物质的目标衬底来实现纳米线阵列移植；或使用绝缘物质来固定和支撑硅纳米线阵列及作为中间绝缘层，把硅纳米线阵列移植到表面涂有导电粘性物质的柔性衬底，再覆盖另一层导电物质，制备出简单的柔性的具有良好欧姆接触的导通电路器件。方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
