An imaging unit (40) comprises: a solid state image sensor (44) which generates an electrical signal by receiving light and performing optical-electrical conversion a substrate (45) which extends from the solid state image sensor (44) in an optical axis direction of the solid state image sensor (44) and a laminated substrate (46) which is formed on a surface of the substrate (45), multiple electrical parts (55-58) being mounted thereon, multiple conductor layers (67-69) and multiple vias (71-76) being formed therein, at least one of the multiple electrical parts (55-58) being buried inside the laminated substrate (46), the vias (71-76) being formed outside the electrical part buried inside the laminated substrate (46) relative to an optical axis direction of the laminated substrate (46).Linvention concerne une unité dimagerie (40) qui comprend : un capteur dimage à létat solide (44) qui génère un signal électrique par réception de lumière et réalisation dune conversion optique-électrique un substrat (45) qui sétend du capteur dimage à létat solide (44) dans une direction daxe optique du capteur dimage à létat solide (44) et un substrat stratifié (46) qui est formé sur une surface du substrat (45), de multiples parties électriques (55-58) montées sur celui-ci, de multiples couches conductrices (67-69) et de multiples trous de liaison (71-76) formés à lintérieur de celui-ci, au moins une des multiples parties électriques (55-58) étant enfouie à lintérieur du substrat stratifié (46) par rapport à une direction daxe optique du substrat stratifié (46).撮像ユニット40は、光を受光して光電変換を行うことにより電気信号を生成する固体撮像素子44と、固体撮像素子44の光軸方向に固体撮像素子44から延出する基板45と、基板45の表面に形成された積層基板であって、複数の電子部品55~58が実装されるとともに複数の導体層67~69および複数のビア71~76が内部に形成された積層基板46と、を備え、複数の電子部品55~58のうちの少なくとも一つは、積層基板46内部に埋設され、ビア71~76は、積層基板46の光軸方向に対して、積層基板46の内部に埋設された電子部品よりも外側に形成される。
