MATERIALS AND COMPONENTS IN PHASE CHANGE MEMORY DEVICES

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专利权人:

INTEL CORPORATION

发明人:

SONCINI, Valter,ERBETTA, Davide

申请号：

WO2016US19991

公开号：

WO2016160223(A1)

申请日:

2016.02.27

申请国别(地区):

世界知识产权组织国际局

年份:

2016

代理人:

摘要：

Phase change memory cells, structures, and devices having a phase change material and an electrode forming an ohmic contact therewith are disclosed and described. Such electrodes can have a resistivity of from 10 to 100 mOhm•cm.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/