PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrasonic probe which can suppress multiple reflection for a phenomenon in which suppression effects of multiple reflection differ from each other due to the plate thickness of a semiconductor substrate even though the acoustic impedance of a backing layer is made to match the semiconductor substrate of a CMUT cell.SOLUTION: In an ultrasonic probe which comprises a semiconductor substrate 1 in which a plurality of CMUT cells are formed on the surface thereof, an acoustic lens 3 provided on the surface side of the CMUT cell, and a backing layer 5 provided on the rear surface side of the semiconductor substrate 1, the backing layer 5 is formed of a first backing layer 27 brought into contact with the semiconductor substrate and a second backing layer 29 provided on the rear surface side of the backing layer 27, the backing layer 27 has acoustic impedance set on the basis of the plate thickness of the semiconductor substrate 1, the backing layer 29 is formed of attenuation material capable of attenuating an ultrasonic wave penetrating the backing layer 27, and the acoustic impedance is set in accordance with the acoustic impedance of the backing layer 27 to suppress multiple reflection of a reflection echo.【課題】バッキング層の音響インピーダンスをＣＭＵＴセルの半導体基板に整合させても、半導体基板の板厚によって多重反射の抑制効果が異なる。この現象に対しても多重反射を抑制できる超音波探触子を提供する。【解決手段】複数のＣＭＵＴセルが表面に形成された半導体基板１と、ＣＭＵＴセルの表面側に設けられる音響レンズ３と、半導体基板１の裏面側に設けられるバッキング層５を備える超音波探触子において、バッキング層５を、半導体基板と接する第１のバッキング層２７と、バッキング層２７の裏面側に設けられる第２のバッキング層２９で形成し、バッキング層２７は、半導体基板１の板厚に基づいて音響インピーダンスが設定され、バッキング層２９は、バッキング層２７を透過した超音波を減衰可能な減衰材で形成され、音響インピーダンスはバッキング層２７の音響インピーダンスに合わせて設定し、反射エコーの多重反射を抑制する。【選択図】図１
