A CMUT cell 13 for converting an ultrasonic wave and an electric signal to each other, a semiconductor substrate 15 having a plurality of CMUT cells 13 formed on its surface, an acoustic lens 3 provided on the surface side of the CMUT cell 13, And a backing layer 5 formed on the back side of the semiconductor substrate 15. The backing layer 5 includes a first backing layer 27 in contact with the semiconductor substrate and a backing layer 27 in contact with the semiconductor substrate, And the backing layer 27 is formed by the backing layer 27 and the backing layer 27. The backing layer 27 is formed of a backing layer 27 And the acoustic impedance is set in accordance with the acoustic impedance of the backing layer 27 and suppresses multiple reflection of the reflected echoes.초음파와 전기 신호를 서로 변환하는 CMUT 셀(13)과, 복수의 CMUT 셀(13)이 표면에 형성된 반도체 기판(15)과, CMUT 셀(13)의 표면측에 설치되는 음향 렌즈(3)와, 반도체 기판(15)의 이면측에 형성되는 배킹 층(5)을 구비하는 초음파 탐촉자에 있어서, 배킹 층(5)을, 반도체 기판과 접하는 제1 배킹 층(27)과, 배킹 층(27)의 이면측에 형성되는 제2 배킹 층(29)으로 형성하고, 배킹 층(27)은 반도체 기판(15)의 판 두께에 기초해서 음향 임피던스가 설정되고, 배킹 층(29)은 배킹 층(27)을 투과한 초음파를 감쇠 가능한 감쇠재로 형성되고, 음향 임피던스는 배킹 층(27)의 음향 임피던스에 맞춰서 설정하고, 반사 에코의 다중 반사를 억제한다.
