- // Method for forming dielectric layer of ONO structure using in-situ process
- 专利权人:
- 삼성전자주식회사
- 发明人:
- 이우진,박지순,이종명,이현배
- 申请号：
- KR20110063973
- 公开号：
- KR101829281(B1)
- 申请日:
- 2011.06.29
- 申请国别(地区):
- 韩国
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 인-시츄 공정을 이용한 산화막/질화막/산화막(ONO) 구조의 절연막 형성 방법이 제공된다. 절연막 형성 방법은 PEALD(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition) 방식을 이용하여, 기판 상에 제1 산화막, 질화막, 및 제2 산화막을 순차적으로 형성하되, 상기 제1 산화막을 형성한 후, 제1 질소 플라즈마 처리를 하는 것을 포함한다.
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
