基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法
- 专利权人:
- 成都晨德科技有限公司
- 发明人:
- 戴涛,蒲洋
- 申请号：
- CN201210101066.0
- 公开号：
- CN102599907A
- 申请日:
- 2012.04.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法，克服了现有技术在待测体发生形变后其电阻抗断层成像质量不高的缺陷。该基于网格位移模型的电阻抗断层成像方法，包括以下步骤：（1）通过待测体得到有限元网格位移模型，并对该待测体进行数据采集，根据采集到的数据计算差分电压信号；（2）计算待测体电导率变化近似值；（3）计算所得的在有限元网格位移模型中进行显示，其显示出来的图像即为待测体的实时差分图像。本发明利用有限元网格位移模型来修正待测体全部区域的结构形变，与现有技术相比，成像质量得到了明显提高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
