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基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法
- 专利权人:
- 思澜科技(成都)有限公司
- 发明人:
- 蒲洋,戴涛,向飞
- 申请号：
- CN201210188972.9
- 公开号：
- CN102688041A
- 申请日:
- 2012.06.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明的目的在于提供一种基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法，包括以下步骤：（1）在三维图像的待测体表面放置电极，且该电极采用交错位的方式在三维图像的待测体表面上进行排列；（2）通过三维图像的待测体得到对应的有限元模型，并利用所述的电极对该有限元模型进行数据采集，根据采集到的数据计算差分电压信号yi=vi-v0；（3）计算三维图像的待测体的电导率变化近似值（4）计算所得的在有限元模型中进行显示，其显示出来的图像即为三维图像的待测体的实时差分图像。本发明的电极采用交错位的方式在三维图像的待测体表面上进行排列，本发明与现有技术相比，其三维像的重构质量和对目标的检测灵敏度均得到了显著地提高。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
