一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法

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专利权人:

北京航空航天大学

发明人:

曹章,陈健军,周海力,徐立军,蒋昌华

申请号：

CN201210544370.2

公开号：

CN103018284A

申请日:

2012.12.14

申请国别(地区):

CN

年份:

2013

代理人:

摘要：

本发明公开了一种基于二端子阻抗测量模式的四端子电阻抗层析成像方法,属于电学无损检测技术领域。所述方法包括如下步骤：建立电阻抗层析成像传感器的有限元模型，计算相邻激励、相对激励或者对角线激励模式下的四端子灵敏度矩阵；继电器双T型多通道切换模块选通传感器的电极，进行二端子阻抗测量；将二端子阻抗值转换成相应激励模式下的四端子阻抗值；求解敏感场内电导率差异分布，并进行图像重建。本发明适用于非侵入式电阻抗层析成像技术，尤其适用于四端子阻抗测量方式不满足应用需求或者不具备四端子阻抗测量仪器的情形。本发明可有效提高所重建图像的对比度和分辨率，加快成像速度。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/