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超音波トランスデューサー装置及び電子機器
专利权人:
SEIKO EPSON CORP
发明人:
KIYOSE SETSUNAI,清瀬 摂内,SUZUKI HIRONORI,鈴木 博則,MATSUDA YOJI,松田 洋史
申请号:
JP2017089381
公开号:
JP2017170156A
申请日:
2017.04.28
申请国别(地区):
JP
年份:
2017
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultrasonic transducer device avoiding an increase in wiring resistance while having a piezoelectric film for each vibration film.SOLUTION: A plurality of vibration films 24 is disposed in an array on a substrate 21. On the plurality of vibration films 24, piezoelectric films 53 are formed on first electrode films 27. Second electrode films 26 are formed on the piezoelectric films 53. First conductive films 54 formed with thicknesses larger than thicknesses of the first electrode films 27 are connected to the first electrode films 27. The first conductive films 54 function as wiring films of the first electrode films 27. Sufficient thicknesses are secured for the first conductive films 54.SELECTED DRAWING: Figure 4COPYRIGHT: (C)2017,JPO&INPIT【課題】振動膜ごとに圧電体膜を有しながら配線抵抗の上昇を回避した超音波トランスデューサー装置を提供する。【解決手段】基体21には複数の振動膜24がアレイ状に配置される。振動膜24上では第1電極膜27上に圧電体膜53が形成される。圧電体膜53上には第2電極膜26が形成される。第1電極膜27には第1電極膜27の膜厚よりも大きい膜厚で形成される第1導電膜54が接続される。第1電極膜54は第1電極膜27の配線膜として機能する。痔1導電膜54には十分な膜厚が確保される。【選択図】図4
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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