Manufacturing Process For Field Emission X-ray Source Device

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专利权人:

주식회사바텍;(주)바텍이우홀딩스

发明人:

염경태,임병직

申请号：

KR20150093288

公开号：

KR20170003083(A)

申请日:

2015.06.30

申请国别(地区):

韩国

年份:

2017

代理人:

摘要：

생산 수율을 향상시키고, 완성품의 내부 진공도 저하 요인을 없애 성능의 안정성과 수명 등 신뢰성을 향상시키는, 전계 방출 엑스선 소스 장치의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 전계 방출 엑스선 소스 장치의 제조 방법은, 엑스선 타겟면을 갖는 애노드 전극, 전자 방출원을 갖는 캐소드 전극, 게이트 전극 및 상기 전극들의 사이에 배치되는 절연 스페이서를 포함하는 전계 방출 엑스선 소스 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 캐소드 전극 이외의 전극들 및 절연 스페이서를 조립하고, 상기 애노드 전극 및 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 캐소드 전극 이외의 전극들에 대하여 메탈 에이징을 실시하고, 상기 캐소드 전극 이외의 전극들 및 상기 절연 스페이서가 조립된 부분에 상기 캐소드 전극을 진공 분위기에서 접합하는 과정을 포함한다.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/