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一种微型空心硅针的制备方法
- 专利权人:
- 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究所
- 发明人:
- 金名亮,刘霞,水玲玲,周国富
- 申请号：
- CN201510008013.8
- 公开号：
- CN104587567A
- 申请日:
- 2015.01.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2015
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种微型空心硅针的制备方法，本发明通过光刻技术在单晶硅片上制作光刻胶的方形阵列图形，结合单晶硅各向异性蚀刻，以及金属辅助的各向同性蚀刻构建大面积、尺寸可控的微型空心硅针结构；化学湿法蚀刻使用浓度是1~80wt%的氢氧化钾溶液或者浓度是5~50wt%的四甲基氢氧化铵溶液，解决了干法蚀刻需要的高真空环境、蚀刻速度慢以及能耗高的缺点；金属辅助的各向同性蚀刻使用体积比是0.01~100：1的氢氟酸和双氧水混合溶液，加快了反应的速率，缩短了生产周期；同时，通过控制金颗粒的大小，可以控制针孔的尺寸，进而满足不同的用途。本发明方法步骤简单、成本低廉，并且适合大规模、大面积微型空心硅针的生产。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
