多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 发明人:
- 焦继伟,宫昌萌,包晓清,王跃林
- 申请号：
- CN200710036416.9
- 公开号：
- CN100998901B
- 申请日:
- 2007.01.12
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100-200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅，然后刻蚀出针头，简化了针头的制作工艺，降低了成本，其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作，深宽比大、直径小。可阻止微生物通过注射孔进入组织，避免生物组织因注射而被感染，且提高药物输送效率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
