薄膜トランジスタ及び有機ＥＬ表示装置
- 专利权人:
- 株式会社ＪＯＬＥＤ
- 发明人:
- 松本 光正,鐘ヶ江 有宣
- 申请号：
- JP20160529085
- 公开号：
- JPWO2015198604(A1)
- 申请日:
- 2015.06.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 薄膜トランジスタ（１）は、基板（１０）と、基板（１０）に配置されたアンダーコート層（２０）と、アンダーコート層（２０）の上方に形成され、少なくともインジウムを含む酸化物半導体層（３０）と、酸化物半導体層（３０）を間に介してアンダーコート層（２０）と対向するゲート絶縁層（５０）と、ゲート絶縁層（５０）を間に介して酸化物半導体層（３０）と対向するゲート電極（６０）と、酸化物半導体層（３０）と電気的に接続するソース電極（８０Ｓ）及びドレイン電極（８０Ｄ）と、を有し、酸化物半導体層（３０）の内部領域であってアンダーコート層（２０）と近接する領域にはフッ素が含有されている。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
