薄膜トランジスタ及び有機EL表示装置
- 专利权人:
- 株式会社JOLED
- 发明人:
- 松本 光正,鐘ヶ江 有宣
- 申请号:
- JP20160529085
- 公开号:
- JPWO2015198604(A1)
- 申请日:
- 2015.06.24
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要:
- 薄膜トランジスタ(1)は、基板(10)と、基板(10)に配置されたアンダーコート層(20)と、アンダーコート層(20)の上方に形成され、少なくともインジウムを含む酸化物半導体層(30)と、酸化物半導体層(30)を間に介してアンダーコート層(20)と対向するゲート絶縁層(50)と、ゲート絶縁層(50)を間に介して酸化物半導体層(30)と対向するゲート電極(60)と、酸化物半導体層(30)と電気的に接続するソース電極(80S)及びドレイン電極(80D)と、を有し、酸化物半導体層(30)の内部領域であってアンダーコート層(20)と近接する領域にはフッ素が含有されている。
- 来源网站:
- 中国工程科技知识中心