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薄膜トランジスタ装置、及びそれを用いた表示装置
专利权人:
株式会社JOLED
发明人:
篠川 泰治,年代 健一,大迫 崇
申请号:
JP20160515860
公开号:
JPWO2015166652(A1)
申请日:
2015.04.23
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
基板上の発光領域外まで延出された金属からなる引出配線層パターン(207)と、引出配線層パターン(207)を覆うように配され、上記領域外にコンタクト孔(216a)が開設されているパッシベーション層(216)と、パッシベーション層(216)の上面、コンタクト孔(216a)の内周面、及びコンタクト孔(216a)内の引出配線層パターン(207)上面に連続して配されている接続配線層パターン(237)と、接続配線層パターン(237)上に配され、接続配線層パターン(237)のコンタクト孔(216a)内に存する部分を覆う導電性の封止層パターン(217)と、封止層パターン(217)と一部が接触した状態で封止層パターン(217)を覆う導電性の上部導電性封止層パターン(219)と、封止層パターン
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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