본 발명은 유전체 장벽 방전 방식의 방전 전극의 구조를 제공한다. 그 구조는; 판형 도전체 하부전극; 상기 하부전극위에 표면거칠기(Ra)가 0.1μm 내지 150μm의 범위로 형성된 유전체층; 상기 유전체층에 고정대에 의한 기계적 겹침에 의해 밀착된 선형 문양을 가지는 판형 도전체 상부전극;을 포함하되, 상기 유전체층은 침적(dipping), 도장(spraying), 도포(spreading) 및 용사(thermal spraying) 중 어느 하나의 공정에 의해 형성되고, 1,500V 이하의 교류 또는 펄스 전압이 인가되어 이온 활성종을 발생하는 시키는 것을 특징으로 한다.