L'invention concerne une matrice de photodiodes et son procédé de fabrication, ladite matrice comprenant un substrat (4) de phosphure d'indium, une couche active (5) d'arséniure de gallium-indium au-dessus du substrat (4), une région enterrée (8) entre le substrat (4) et la couche active (5), et une couche supérieure (6) en phosphure d'indium au-dessus de la couche active (5), une anode de photodiode formée par une région dopée (12), ladite région dopée (12) s'étendant depuis la couche supérieure (6) jusque dans la couche active (5) sans atteindre la région enterrée (8), ladite région dopée (12) délimitant plusieurs zones de cathode (13) de la couche supérieure (6) isolées les unes des autres par la région dopée (12).
