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可自发电刺激的嵌段结构导电神经导管及其制备方法
专利权人:
北京科技大学
发明人:
郑裕东,孙乙,孟昊业,谢亚杰,彭江,冯照喧
申请号:
CN201910119503.3
公开号:
CN109793594A
申请日:
2019.18.02
申请国别(地区):
CN
年份:
2019
代理人:
摘要:
本发明公开了一种可自发电刺激的嵌段结构导电神经导管及其制备方法,该导管在导电基底上同时集成了阳极和阴极;导电基底是由基体材料复合导电成分构成;阳极是由导电基底复合葡萄糖氧化催化剂构成;阴极是由导电基底复合氧还原催化剂构成。本发明中的神经导管能够利用人体内存在的葡萄糖和氧气自发产生电刺激,促进神经生长,而不需要在人体内插入金属电极,减少了病人的痛苦和不便。此外该导管还可将电刺激集中的缺损神经处,提高电刺激的精准度和效率。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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