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一种载神经生长因子的可降解镁神经导管及其制备方法
- 专利权人:
- 重庆大学;西安交通大学
- 发明人:
- 王勇,蔡渊卿,陈毅,林怡,党晓谦
- 申请号：
- CN202211548513.7
- 公开号：
- CN115715823A
- 申请日:
- 2022.12.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2023
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种载神经生长因子的可降解镁神经导管，其包括镁管，镁管的内外表面均设置有复合涂层，复合涂层的外表面设置有载神经生长因子的PLGA纳米微球。本发明还公开了该可降解镁神经导管的制备方法。本申请中的可降解镁神经导管，通过在镁管的外表面羟基磷灰石/石墨烯复合涂层，以及在复合涂层的外表面设置有载神经生长因子的PLGA纳米微球，该可降解镁神经导管具有足够的力学性能、良好的神经生长引导以及与神经修复相匹配的降解速率，有效改善了神经修复过程中的神经信号传递功能，促进了雪旺细胞的增殖和轴突的生长，为神经再生提供良好的微环境，解决了目前神经修复导管普遍存在的管内再狭窄、导电性弱等问题。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
