X射线探测装置及其制造方法
- 专利权人:
- 京东方科技集团股份有限公司
- 发明人:
- 张勇,薛艳娜,方浩博,白璐,华刚,张丽敏,林坚
- 申请号：
- CN201811392902.9
- 公开号：
- CN109276268A
- 申请日:
- 2018.21.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种X射线探测装置及其制造方法,属于传感技术领域。包括:X射线探测装置包括:层叠设置在衬底基板上的薄膜晶体管层、第一绝缘层、遮挡层、第二绝缘层和光电传感组件层;每个薄膜晶体管包括:源极和漏极;每个光电传感组件包括:层叠设置在第二绝缘层上的电极层、高阻层和第一有源层,电极层包括:相互绝缘且同层设置的第一电极和第二电极,每个像素区域中,第一电极与源极电连接,且形成在第一电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度与形成在第二电极远离衬底基板的表面的高阻层的厚度相等。本发明提高了根据X射线探测装置转换的电信号得到的X片的成像准确度。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
