射线探测器及其制造方法、电子设备
- 专利权人:
- 京东方科技集团股份有限公司
- 发明人:
- 张勇,薛艳娜,方浩博,白璐,华刚,张丽敏,林坚
- 申请号：
- CN201910894639.1
- 公开号：
- CN111202536A
- 申请日:
- 2019.20.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 一种射线探测器,包括衬底基板,其上多个像素区域呈阵列排布。每个像素区域包括:包括源极和漏极的薄膜晶体管;以及位于薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的光电传感器。光电传感器包括:第一电极和第二电极,两者彼此间隔开;介电层,位于第一电极和第二电极远离所述衬底基板一侧且覆盖第一电极和第二电极;以及位于介电层远离所述衬底基板一侧的第一半导体层。第一电极电连接到漏极。第一电极远离衬底基板的表面与衬底基板之间的距离为第一距离。第二电极远离衬底基板的表面与衬底基板之间的距离为第二距离。第一距离与第二距离基本相等。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
