一种神经电极结构及其制造方法
- 专利权人:
- 中国科学院微电子研究所
- 发明人:
- 李俊杰,赵超,杨涛,李洪革
- 申请号：
- CN201610362314.5
- 公开号：
- CN105963857B
- 申请日:
- 2016.26.05
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供一种神经电极结构的制造方法,包括:提供衬底;刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域,凸面为凸条或凸台;在凹凸区域的表面上形成绝缘层;在绝缘层的表面上形成凹凸的第一电极。该方法将电极形成在凹凸区域上,形成三维的神经电极结构,在植入人体后使得植入式的神经电极具有更大的比表面积,增加了电极的电荷捕获能力,进而提高电极灵敏度、集成度以及空间分辨率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
