This X-ray imaging system (10) is provided with: an X-ray source (16) an imaging panel (12) a scintillator (13) and an X-ray control unit (14E). The imaging panel includes: a photoelectric conversion element (26) a capacitor (50) a thin film transistor (24) and TFT control units (14A, 14B, 14F). The photoelectric conversion element (26) is irradiated with scintillation light. The capacitor (50) is connected to the photoelectric conversion element (26), and stores an electric charge. The thin film transistor (24) is connected to the capacitor (50). The TFT control units (14A, 14B, 14F) control operation of the thin film transistor (24). The thin film transistor (24) includes a semiconductor active layer (32) comprising an oxide semiconductor. The X-ray control unit (14E) causes the X-ray source (16) to intermittently emit X-rays. When X-rays are not being emitted, the TFT control units (14A, 14B, 14F) operate the thin film transistor (24) to read the electric charge stored in the capacitor (50).Linvention concerne un système dimagerie à rayons X (10) qui comprend : une source de rayons X (16) un panneau dimagerie (12) un scintillateur (13) et une unité de commande de rayons X (14E). Le panneau dimagerie comprend : un élément de conversion photoélectrique (26) un condensateur (50) un transistor à couches minces (24) et des unités de commande de TFT (14A, 14B, 14F). Lélément de conversion photoélectrique (26) est exposé à une lumière de scintillation. Le condensateur (50) est connecté à lélément de conversion photoélectrique (26) et stocke une charge électrique. Le transistor à couches minces (24) est connecté au condensateur (50). Les unités de commande de TFT (14A, 14B, 14F) commandent le fonctionnement du transistor à couches minces (24). Le transistor à couches minces (24) comprend une couche active à semi-conducteurs (32) comprenant un semi-conducteur doxyde. Lunité de commande de rayons X (14E) amène la source de rayons X (16) à émettre des rayons X par int
