MORI Shigeyasu,森 重恭,TOMIYASU Kazuhide,冨安 一秀,森 重恭,冨安 一秀
申请号：
JPJP2015/068305
公开号：
WO2016/002612A1
申请日:
2015.06.25
申请国别(地区):
JP
年份:
2016
代理人:
摘要：
This invention makes stable operation of a thin-film transistor in an imaging panel used in an indirect-conversion X-ray imaging system possible. Said imaging panel (12) is provided with a substrate (20), the aforementioned thin-film transistor (24), a photoelectric conversion element (26), and a biasing wire (46). The thin-film transistor is formed on the substrate. The photoelectric conversion element is connected to the thin-film transistor and is exposed to scintillation light. The biasing wire is connected to the photoelectric conversion element and applies, to the photoelectric conversion element, a voltage that reverse-biases same. The thin-film transistor is provided with a semiconductor active layer (32) and a gate electrode (28). Said gate electrode is formed between the abovementioned substrate and the semiconductor active layer. Seen from the direction from which the scintillation light is incident, the biasing wire has a section that overlaps the gate electrode and the semiconductor active layer.Cette invention rend possible un fonctionnement stable d'un transistor à couches minces dans un panneau d'imagerie utilisé dans un système d'imagerie radiographique à conversion indirecte. Ledit panneau d'imagerie (12) comprend un substrat (20), le transistor à couches minces (24) susmentionné, un élément de conversion photoélectrique (26) et un fil de polarisation (46). Le transistor à couches minces est formé sur le substrat. L'élément de conversion photoélectrique est connecté au transistor à couches minces et est exposé à de la lumière de scintillation. Le fil de polarisation est connecté à l'élément de conversion photoélectrique et applique, à l'élément de conversion photoélectrique, une tension qui le polarise en inverse. Le transistor à couches minces comprend une couche active semi-conductrice (32) et une électrode de grille (28). Ladite électrode de grille est formée entre le substrat susmentionné et la couche active semi-conductrice. Vu dans la directi
