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气敏元件的制备方法
- 专利权人:
- 杭州超距科技有限公司
- 发明人:
- 王维熙,王维平
- 申请号：
- CN200910301938.6
- 公开号：
- CN101545882B
- 申请日:
- 2009.04.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2012
- 代理人:
- 王江成
- 摘要：
- 本发明涉及一种气敏元件及其制备方法，气敏元件的制备方法为：将微晶玻璃基片用洗洁剂浸泡30分钟后，清洗干净，用去离子水冲洗，然后用硫酸重铬酸钾洗液浸泡72小时，用去离子水冲洗干净后，用无水乙醇脱水，烘干；用真空镀膜的方法在微晶玻璃基片的顶面的两头分别镀上一层镍络合金层，再在镍络合金层上面镀上一层金层，作为引线的金丝熔融焊接在金层上；在微晶玻璃基片的顶面上用溶胶-凝胶法沉积氧化物半导体薄膜。本发明制得的气敏元件具有很高的灵敏度，对氢气的检测限达到1×10-11L，比国内外现有的氢气传感器提高六个数量级，检出限大大低于土壤气中的氢气的背景值，完全满足地震前兆氢气检测的需要，提高预报地震的准确率。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
