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Implantable electrical contact configuration
专利权人:
ニューロループ ゲーエムベーハー
发明人:
ボレティウス,ティム,キミヒ,ファビアン,ハスラー,クリスティーナ,プラフタ,デニス
申请号:
JP2019526265
公开号:
JP2019535410A
申请日:
2017.11.17
申请国别(地区):
JP
年份:
2019
代理人:
摘要:
Described is an implantable electrical contact configuration having at least one freely accessible electrode surface indirectly or directly surrounded by a biocompatible, electrically insulating material, and Is an implantable electrical contact configuration having at least one electrode body configuration completely surrounded by a biocompatible, electrically insulating material. The invention is characterized in that the electrode assembly has a stacked layer assembly with at least one gold layer which is connected to the iridium layer via a diffusion barrier layer. The stacked layer combination is completely covered with the SiC layer except for at least one surface region of the iridium layer which does not face the layer combination. The SiC layer has an SiC layer surface that does not face the stacked layer combination, and the SiC layer surface is indirectly or directly adjacent to the biocompatible and electrically insulating material. I have. [Selection diagram] FIG.説明されるのは、植込み可能な電気接触構成であって、生体適合性で電気絶縁性の材料によって間接的又は直接的に包囲された少なくとも一つの自由にアクセス可能な電極表面を有し、そのほかでは、生体適合性で電気絶縁性の材料によって完全に包囲されている少なくとも一つの電極体構成を有する、植込み可能な電気接触構成である。本発明は、電極体構成が、拡散障壁層を介してイリジウム層と結合している少なくとも一つの金層を備えたスタック状の層結合体を有していることを特徴とする。スタック状の層結合体は、イリジウム層のうち層結合体に面していない少なくとも一つの表面領域を除いて、そのほかでは完全にSiC層で被覆されている。SiC層は、スタック状の層結合体に面していないSiC層表面を有しており、このSiC層表面と、生体適合性で電気絶縁性の材料とが間接的又は直接的に隣り合っている。【選択図】図1a
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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